MOSFET для ESP8266

[PAV]

Возьмите готовый девайс

Зачем такой гимор? У меня на мосфетах все работает лет 5 уже. Просто под ардуину, а там 5В.
Никто не может подсказать работающие мосфеты под 3.3В
Пока нашел. что МОГУТ работать:
3.3V IRLZ44N
3.3 IRL3705N !!!
3.3 IRL510, IRL510PBF
3.3 IRLZ34NPBF
3.3 IRLML6246TRPBF

Еще не проверял.

[PAV]

Докладываю:
Были закуплены транзисторы. Протестировал на стенде - Wemos D1 mini Pro + вентилятор 12V 0.68A
Подключение по схеме выше, т.е. GATE к пину через 100R и пин на землю 10K.
Итого:
Транзистор (V, A) - Вольтаж на выходе при 1023 (полностью открыт) - Вольтаж на выходе при 0 (полностью закрыт)
IRLZ34NPBF (55V, 27A) - 11.29 - 0.2
IRLZ44NPBF (55V, 47A) - 11.36 - 0.35
IRL510PBF (100V, 5.6A) - 11.14 - 0

[ZyaK]

резистор 100 Ом слишком много, для ограничения тока обычно ставят по 10 Ом.
Если вы управляете мосфетом с помощью аналогового пина, который или 1 или 0, резистор в 10к на землю ставить тоже не обязательно, оно ставится для защиты от 3-го состояния.
Как это нигде не указано какие транзисторы работают от 3.3???
вот же строчка в даташите "пороговое напряжение"

[PAV]

резистор в 10к на землю ставить тоже не обязательно, оно ставится для защиты от 3-го состояния.
Как это нигде не указано какие транзисторы работают от 3.3???

Я же, пардон, ШИМом управляю, какие там 0 и 1? Но за подсказку спасибо, буду знать.

вот же строчка в даташите "пороговое напряжение"

О, знатоки подтянулись Скажите, пожалуйста, IRF 3708 будет полностью открываться с помощью ESP8266(3.3V)?
Что даташит говорит?

[ZyaK]

Я же, пардон, ШИМом управляю, какие там 0 и 1? Но за подсказку спасибо, буду знать.

О, знатоки подтянулись Скажите, пожалуйста, IRF 3708 будет полностью открываться с помощью ESP8266(3.3V)?
Что даташит говорит?

А ШИМ это разве не 0 и 1 ????
для шима надо полевик с как можно меньшей ёмкостью затвора
по IRF 3708 напряжение пороговое Ugs(th): 2 V
а так он вообще не с логическим управлением, ему на затвор можно до 12 вольт давать. и ёмкость затвора у него больше в 4 чараз чем у 510, а это уже критично для ЕСПихи у которой ток выхода 20 миллиампер, если управлять шимом, то фронты будут затянуты и завалены, как следствие долгое открытие и закрытие - усиленный нагрев.
если в названии есть буква L то полевик с логическим управлением. а логика подразумевает работу и с 3.3 и с 5 вольтами. есть отдельные экземпляры, у которых уровни 1.1, 1.3 1,8 вольт.

[PAV]

Ну я рукожоп, я таких нюансов не знаю
Спасибо за разъяснение, а то шарю шарю по форумам, а никто не может объяснить.

[xxc]

У меня прекрасно работают IRF7807 - корпус SO8, ток до 8А, напряжение до 30В, управляется логикой, подходит и да 3.3 и для 5В

[akouz]

Ну вообще IRF3708 Это обычный N канальный мосфет с не особо выдающимися характеристиками. и он даже не с логическим управлением!

Согласно даташиту у IRF3708 пороговое напряжение от 0.6 до 2В, а при 3.3 В на затворе он способен обеспечить ток до 100 А. Однако в китайских онлайн-магазинах под видом IRF3708 продают какие-то другие транзисторы, которые при 3.3 В на затворе не открываются.

надо брать мосфеты с логическим управлением и как можно меньшей ёмкостью затвора например IRL 510
для сравнения
IRL 510 ёмкость затвора 6.1 нКл
у IRF3708 ёмкость затвора 24 нКл
у IRL 540 ёмкость затвора 49.3 нКл
Чем больше ёмкость затвора - тем больше энергии надо затратить на его переключение. Соответственно и частота переключений у транзисторов с меньшей ёмкостью затвора будет на много выше например если шим на них делать и тому подобное ну и нагрузка на выходные пины контроллера будет в разы меньше.

Обычно ESP8266 при помощи MOSFET управляют светодиодными лентами на сравнительно низких частотах, поэтому емкость затвора не имеет значения. Зато у IRF3708 сопротивление канала не более 0.029 Ом при напряжениии на затворе 2.7В, а у IRL510 сопротивление 0.76 Ом при напряжении на затворе 4 В. Меньше сопротивление - меньше статические потери, меньше будет греться.

Слова "с логическим управлением" только вводят в заблуждение, поскольку были придуманы 20 лет назад, когда 3-вольтовая логика была редкостью. Таким образом обозначали транзисторы, которыми можно было управлять от стандартного по тем временам логического напряжения 5 В, в отличие от более старых транзисторов, которым нужно было подавать примерно 10 В на затвор, чтобы надежно открыть. Сравните: у IRL510 пороговое напряжение от 1 до 2 В, что ничуть не лучше, чем у IRF3708.

по IRF 3708 напряжение пороговое Ugs(th): 2 V
а так он вообще не с логическим управлением, ему на затвор можно до 12 вольт давать. и ёмкость затвора у него больше в 4 чараз чем у 510, а это уже критично для ЕСПихи у которой ток выхода 20 миллиампер, если управлять шимом, то фронты будут затянуты и завалены, как следствие долгое открытие и закрытие - усиленный нагрев.

Давайте посчитаем. Ток 20 мА, емкость затвора 2500 пФ, изменение напряжения на затворе, когда происходит переключение, скажем, 1 В. Время t = C*V/I = 2.5нФ*1В/0.02А = 0.125 мкс. При частоте ШИМ 10 кГц переключение происходит каждые 50 мкс. При токе нагрузки 10А и напряжении 12 В пиковая мощность в момент переключения 120 Вт, форма графика мгновенной мощности треугольная, средняя мощность во время переключения половину от пиковой, 60 Вт. В сумме же динамические потери за полный период составят 60Вт*0.125мкс/50мкс = 0.15 Вт.

При емкости затвора 250 пФ эти потери будут, соответственно, в 10 раз меньше.

А теперь сравним статические потери.

При токе 10 А на сопротивлении канала 0.029 Ом выделяется 2.9 Вт, при скважности 2 статические потери на транзисторе IRF3708 составят половину от этой величины, т.е 1.45 Вт. Суммарные потери, статические и динамические, составят 1.6 Вт. С небольшим радиатором будет хорошо работать, а если ток меньше - то и вообще без радиатора.

А на сопротивлении канала 0.76 Ом при том же токе выделяется 76 Вт, при скважности 2 статические потери на транзисторе IRL510 составят 38 Вт. Этому транзистору понадобится огромный радиатор.

[Seltvik1987]

Есть тут кто живой? Вопрос такой нигде не нашел информации по P канальным MOSFETам. Подскажите хоть один подходящий для ESP. Очень надо((( Заранее спасибо

[ZyaK]

Есть тут кто живой? Вопрос такой нигде не нашел информации по P канальным MOSFETам. Подскажите хоть один подходящий для ESP. Очень надо((( Заранее спасибо

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/NTF6P02T3-D.PDF
https://www.compel.ru/lib/52455
P канальные редко встречаются с логическим управлением. если прям уш очень надо, то можно и биполярник воткнуть составной.
если по каким то причинам не устраивают параметры полевиков с логическим управлением, то можно по выходу ЕСПи поставить повторитель на логике типа 74hc00 стоит 20 копеек. ну или тот же биполярник.